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CSD18509Q5BT

配单专家企业名单
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  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

    CSD18509Q5BT

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 14860

  • TI

  • 原厂原装

  • 1650+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

    CSD18509Q5BT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 0

  • Ti

  • (DNK)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

    CSD18509Q5BT

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 39800

  • TI

  • SON-8

  • 新年份

  • -
  • 一级代理全新原装现货特价!

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    CSD18509Q5BT

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 29295

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原装

  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 545

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • CSD18509Q5BT
    CSD18509Q5BT

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 250

  • TI

  • ORIGONAL

  • 16+

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 100A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.2 毫欧 @ 32A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 195nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 13900pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 3.1W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
  • 8-VSON(5x6)
  • 标准包装
  • 1
CSD18509Q5BT 技术参数
  • CSD18509Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD18504Q5AT 功能描述:N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1656pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),77W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18504Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1656pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD18504KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 20V 功率 - 最大值:115W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD18503Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 22A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2640pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS
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