CSD19536KTTT全国供应商 CSD19536KTTT资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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说明
操作

CSD19536KTTT
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
42244
TI(德州仪器)
22+
-
原装原厂现货

CSD19536KTTT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
DDPAK/TO-263 (KTT)
19
-
瑞智芯只有原装

CSD19536KTTT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TI
con
24+
-
场效应管

CSD19536KTTT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
320335
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD19536KTTT
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
320335
TI
con
24+
-

CSD19536KTTT
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TI
con
24+
-
场效应管

CSD19536KTTT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
320335
TI
con
24+
-

CSD19536KTTT
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
320335
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CSD19536KTTT
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
320335
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD19536KTTT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD19536KTTT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD19536KTTT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
500
TI
TO-2633
15+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
153nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
12000pF @ 50V
功率 - 最大值
375W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
标准包装
1

CSD19536KTTT 技术参数

CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 标准包装:1 CSD19536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD19535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD19535KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:98nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7930pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 标准包装:1 CSD19535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:101nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10