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CSD25484F4T

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD25484F4T
    CSD25484F4T

    CSD25484F4T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 3960

  • Ti

  • (YJJ)

  • 20

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD25484F4T
    CSD25484F4T

    CSD25484F4T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD25484F4T
    CSD25484F4T

    CSD25484F4T

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • CSD25484F4T
    CSD25484F4T

    CSD25484F4T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 29111

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原装

  • CSD25484F4T
    CSD25484F4T

    CSD25484F4T

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 31250

  • TI

  • PICOSTAR3

  • 15+

  • -
  • 全新原装现货

  • CSD25484F4T
    CSD25484F4T

    CSD25484F4T

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4544

  • TI/华雄半导体

  • 3-XFDFN

  • 2205+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
CSD25484F4T PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 2.5A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 94 毫欧 @ 500mA,8V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 0.14nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 230pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 3-XFDFN
  • 供应商器件封装
  • 3-PICOSTAR
  • 标准包装
  • 1
CSD25484F4T 技术参数
  • CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.42nC @ 4.5V Vgs(最大值):-12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):94 毫欧 @ 500mA,8V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD25483F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):205 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.96nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD25483F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):205 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.959nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD25481F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):88 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.91nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):189pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD25481F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):88 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.913nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):189pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A
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