CSD75211W1723全国供应商 CSD75211W1723资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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批号
价格
说明
操作

CSD75211W1723
优势
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：王金英
电话：077-8326952815602945519
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
419735
dsbga
ti
1205+
-
★★诚信经营，原盒原装现货库存商★★

CSD75211W1723
优势
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
419735
dsbga
ti
1205+
-
★★诚信经营，原盒原装现货库存商★★

CSD75211W1723
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
TI/德州仪器
UNKNOWN
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

CSD75211W1723
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15370
TI/德州仪器
BGA12
23+
-
全新原装正品现货热卖

CSD75211W1723
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TI/德州仪器
BGA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CSD75211W1723
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
BGA12
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CSD75211W1723
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2600
原厂原装
原厂原装
24+
-
授权代理商

CSD75211W1723
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
TI
11141119
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

CSD75211W1723
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
3528
XILINX
new
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

CSD75211W1723
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6010
TI
DSBGA12
13+
-
原装正品现货库存

CSD75211W1723
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3000
TI
DSBGA
1301+
-
原厂特价货源

CSD75211W1723
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3214
TI/华雄半导体
BGA
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CSD75211W1723
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
6500
TI
BGA
18+
-
原装进口，诚信经营

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功能描述
MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

CSD75211W1723 技术参数

CSD75208W1015T 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD75208W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD75207W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:162 毫欧 @ 1A，1.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:9-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:9-DSBGA 标准包装:1 CSD75205W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA（1x1.5）标准包装:1 CSD75204W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:9-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:9-DSBGA 标准包装:1 CSD86330EVM-717 CSD86330Q3D CSD86350Q5D CSD86350Q5DEVM-604 CSD86360Q5D CSD87312Q3E CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D

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