CSD85302L全国供应商 CSD85302L资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD85302L
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
201000
TI
VSONP8
22+
-

CSD85302L
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
21000
TI
PICOSTAR-4
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CSD85302L
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TI/德州仪器
4-XFLGA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CSD85302L
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(YME)
20
-
瑞智芯只有原装

CSD85302L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
4-XFLGA
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

CSD85302L
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29098
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD85302L
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3616
TI
PICOSTAR-4
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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1

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功能描述
MOSFET 2N-CH 20V 5A
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-XFLGA
供应商器件封装
4-Picostar（1.31x1.31）
标准包装
1

CSD85302L 技术参数

CSD85301Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD85301Q2 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD83325LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFBGA 供应商器件封装:6 PicoStar 标准包装:1 CSD83325L 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFBGA 供应商器件封装:6 PicoStar 标准包装:1 CSD75301W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:195pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA（1x1.5）标准包装:1 CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P

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