CSD87334Q3DT

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD87334Q3DT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(DPB)
21
-
瑞智芯只有原装

CSD87334Q3DT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29289
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD87334Q3DT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6250
TI
VSON-CLIP8
15+
-
全新原装现货

CSD87334Q3DT
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

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1

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功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
6 毫欧 @ 12A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
标准包装
1

CSD87334Q3DT 技术参数

CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-WSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND