CSD88584Q5DCT

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CSD88584Q5DCT
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
27
TEXAS INSTRUMENTS
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
渠道可追溯现货库存F

CSD88584Q5DCT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
VSON-CLIP (DMM)
19
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
0.95 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
88nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12400pF @ 20V
功率 - 最大值
12W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
22-PowerTFDFN
供应商器件封装
22-VSON-CLIP (5x6)
标准包装
1

CSD88584Q5DCT 技术参数

CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-LGA 供应商器件封装:5-PTAB（5x3.5）标准包装:1 CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT