CSD88599Q5DC

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现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
18025
TI(德州仪器)
22+
-
原装原厂现货

CSD88599Q5DC
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
VSON-CLIP (DMM)
19
-
瑞智芯只有原装

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深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4438
TI
VQFN-16
2229+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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CSD88599Q5DC 技术参数

CSD88584Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12400pF @ 20V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:22-PowerTFDFN 供应商器件封装:22-VSON-CLIP (5x6) 标准包装:1 CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT CSD95491Q5MC