CY7C1412AV18-200BZCCYPRESS

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CY7C1412AV18-200BZCCYPRESS 技术参数

CY7C1412AV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1412AV18-167BZXI 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1412AV18-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C141-25JXCT 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C141-25JXC 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并联电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 CY7C1412BV18-250BZC CY7C1412BV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZC CY7C1412KV18-250BZCT CY7C1412KV18-250BZI CY7C1412KV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZXI CY7C1412KV18-300BZC CY7C1412KV18-300BZXC CY7C1412KV18-300BZXI CY7C1412KV18-333BZC CY7C1412KV18-333BZXI CY7C1412SV18-200BZC CY7C1412TV18-200BZC CY7C1413AV18-200BZC CY7C1413AV18-200BZI CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZCT