CY7C194-45DMB/5962-8868102LA

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CY7C194-45DMB/5962-8868102LA 技术参数

CY7C192-15VXCT 功能描述:静态随机存取存储器 64Kx4 SEP IO 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C192-15VXC 功能描述:静态随机存取存储器 64Kx4 SEP IO 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1911UV18-300BZC 功能描述:IC SRAM 2MBXP QDRII 165-FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1911KV18-333BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (2Mx9) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1911KV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C199C-12VI CY7C199C-12VXC CY7C199C-12VXCT CY7C199C-12VXI CY7C199C-12ZC CY7C199C-12ZXC CY7C199C-12ZXCT CY7C199C-15PC CY7C199C-15PXC CY7C199C-15VC CY7C199C-15VI CY7C199C-15VXC CY7C199C-15VXCT CY7C199C-15VXI CY7C199C-15ZC CY7C199C-15ZXC CY7C199C-15ZXCT CY7C199C-20VC