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DFE252012F-R68M=P2

配单专家企业名单

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说明
操作

DFE252012F-R68M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

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1

您是不是要找： DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2

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功能描述
680nH Shielded Inductor 3.9A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012F
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
-
材料 - 磁芯
铁粉
电感
680nH
容差
±20%
额定电流
3.9A
电流 - 饱和值
6A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
31 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.047"（1.20mm）
标准包装
1

DFE252012F-R68M=P2 技术参数

DFE252012F-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Inductor 4.9A 23 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:4.9A 电流 - 饱和值:7.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:23 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Inductor 5.1A 19 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:330nH 容差:±20% 额定电流:5.1A 电流 - 饱和值:8.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:19 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-8R2M=P2 功能描述:8.2μH Shielded Inductor 1.1A 410 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:8.2μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:410 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 1.2A 330 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.9A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:330 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.5A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:190 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3