DFE252012PD-1R0M=P2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DFE252012PD-1R0M=P2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
15
MURATA
con
24+
-
电感器

DFE252012PD-1R0M=P2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
2870
Murata
2105
-

DFE252012PD-1R0M=P2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
15
MURATA
con
24+
-
电感器

DFE252012PD-1R0M=P2
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1000
MURATA
SMD
21+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

DFE252012PD-1R0M=P2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
MURATA
主营优势
1852
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3

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功能描述
FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012PD
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
类型
绕线
材料 - 磁芯
金属
电感
1μH
容差
±20%
额定电流
3.2A
电流 - 饱和值
3.8A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
42 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
等级
AEC-Q200
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
1MHz
特性
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
供应商器件封装
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.047"（1.20mm）
标准包装
1

DFE252012PD-1R0M=P2 技术参数

DFE252012P-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 200 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:200 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012P-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:140 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 3A 84 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:84 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:60 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 42 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:4.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:42 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3