配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DMN3032LE-13
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
60000
DIODES/美台
na
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

DMN3032LE-13
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
7500
DIODES/美台
QSOP20
-
DIODES授权代理商

DMN3032LE-13
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMN3032LE-13
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
82
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
场效应管

DMN3032LE
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
Diodes
SOT-223
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DMN3032LE-13
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
3000
DIODES/美台
SOT-223-4
23+
-
DIODES授权代理商

DMN3032LE-13
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
82
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
场效应管

DMN3032LE-13
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

DMN3032LE-13
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1400
DIODES IN
REEL
1521+
-
全新原装现货

DMN3032LE-13
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2500
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

DMN3032LE-13
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3329
DIODES
SOT-223
2231+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

DMN3032LE-13 含税
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3527
DIODES
SOT223-4
2210+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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DMN3032LE 技术参数

DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 900mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X1-DFN1212-3 封装/外壳:3-UDFN 标准包装:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:2 NPN（双）配对电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:3,000 DMM-B-44/100 功能描述:FUSE CARTRIDGE 440MA 1KVAC/VDC 制造商:eaton 系列:DMM-B 包装:散装零件状态:有效保险丝类型:盒额定电流:440mA 额定电压 - AC:1000V（1kV）额定电压 - DC:1000V（1kV）响应时间:快速应用:万用表特性:- 类别:- 认可:UL 工作温度:- 不同额定电压时的熔断能力:10kA 安装类型:支座封装/外壳:盒，非标准大小/尺寸:0.394" 直径 x 1.374" 长（10.00mm x 34.90mm）融断 I2t:- DC 冷态电阻:- 标准包装:1 DMN3033LSNQ-13 DMN3033LSNQ-7 DMN3035LWN-13 DMN3035LWN-7 DMN3042L-13 DMN3042L-7 DMN3042LFDF-13 DMN3042LFDF-7 DMN3050S-7 DMN3051L-7 DMN3051LDM-7 DMN3052L-7 DMN3052LSS-13 DMN3053L-13 DMN3053L-7 DMN3055LFDB-13 DMN3055LFDB-7 DMN3065LW-13

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