| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
|---|---|---|---|---|
| FZ800R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA | 可订货 | 2:￥23,287.16 |
| IFS150B12N3T4_B31 | Infineon Technologies | IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 150A | 可订货 | 6:￥2,335.72 10:￥2,158.73 |
| FD600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A | 可订货 | 2:￥9,032.31 |
| FD300R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 370A | 可订货 | 5:￥1,414.29 10:￥1,307.07 |
| FF900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A | 可订货 | 2:￥7,006.19 10:￥6,475.24 |
| FF200R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 1200V 200A DUAL | 可订货 | 6:￥1,264.15 10:￥1,168.38 |
| 类别: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA |
| RoHS: | 否 |
| PDF参数: | |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 3300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | |
| 在25 C的连续集电极电流 | 1500 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | |
| 功率耗散 | |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | IHV130 |
| 封装 |