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IPB160N04S3H2

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:唐先生

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

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IPB160N04S3H2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IPB160N04S3H2 技术参数
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