IRS2151PBF

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说明
操作

IRS2151PBF.
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
IR
DIP8
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

IRS2151PBF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
50000
IR
DIP8
14+
-
公司现货库存，全新原装正品。假一罚十,可...

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IRS2151PBF 技术参数

IRS2128STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2128SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2128PBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21281STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21281SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2158DPBF IRS2158DSPBF IRS2158DSTRPBF IRS2166C IRS2166CD IRS2166DC IRS2166DCD IRS2166DPBF IRS2166DSPBF IRS2166DSTRPBF IRS21681DSPBF IRS21681DSTRPBF IRS2168DPBF IRS2168DSPBF IRS2168DSTRPBF IRS21814MPBF IRS21814MTRPBF IRS21814PBF