IS61NVF25636A

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操作

IS61NVF25636A
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ISSI
BGA(209), TQFP(100)
10+
-
原装现货优势库存

IS61NVF25636A-6.5B3L
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
2999
INTEGRATED SILICON SOLUTI
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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IS61NVF25636A 技术参数

IS61NLP6432A-200TQLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NLP6432A-200TQLI 功能描述:静态随机存取存储器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NLP51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x20）标准包装:72 IS61NLP51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-TFBGA（13x15）标准包装:144 IS61NLP51236-250TQLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR IS61NVP204818B-200TQLI IS61NVP204818B-200TQLI-TR IS61NVP204836B-166TQLI IS61NVP204836B-166TQLI-TR IS61NVP25636A-200TQLI IS61NVP25636A-200TQLI-TR IS61NVP409618B-250B3L IS61NVP409618B-250B3L-TR IS61NVP51236-200B3I IS61NVP51236-200B3I-TR IS61NVP51236-200B3LI IS61NVP51236-200B3LI-TR IS61NVP51236-200TQLI IS61NVP51236-200TQLI-TR IS61NVP51236B-200B3I IS61NVP51236B-200B3I-TR IS61NVP51236B-200B3LI