您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > I字母型号搜索 > I字母第756页 >

IXDT30N120

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • IXDT30N120
    IXDT30N120

    IXDT30N120

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IXYS

  • TO-268AA

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • IXDT30N120
    IXDT30N120

    IXDT30N120

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • IXYS/艾赛斯

  • TO-268AA

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • IXDT30N120
    IXDT30N120

    IXDT30N120

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-268

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • IXDT30N120
    IXDT30N120

    IXDT30N120

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • IXYS

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
IXDT30N120 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT 晶体管 60 Amps 1200V 2.4 Rds
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 650 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压
  • 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • TO-247
  • 封装
  • Tube
IXDT30N120 技术参数
  • IXDS502D1B 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDS430SI 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDR502D1B 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDP631PI 功能描述:马达/运动/点火控制器和驱动器 Invrtr Intrfac/Digtl Deadtime Generator RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Stepper Motor Controllers / Drivers 类型:2 Phase Stepper Motor Driver 工作电源电压:8 V to 45 V 电源电流:0.5 mA 工作温度:- 25 C to + 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HTSSOP-28 封装:Tube IXDP630PI 功能描述:马达/运动/点火控制器和驱动器 Invrtr Intrfac/Digtl Deadtime Generator RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Stepper Motor Controllers / Drivers 类型:2 Phase Stepper Motor Driver 工作电源电压:8 V to 45 V 电源电流:0.5 mA 工作温度:- 25 C to + 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HTSSOP-28 封装:Tube IXEN60N120D1 IXER35N120D1 IXER60N120 IXF102A IXF611P1 IXF611S1 IXF611S1T/R IXF6401BEC7A1835148 IXFA102N15T IXFA10N60P IXFA10N80P IXFA110N15T2 IXFA12N50P IXFA130N10T IXFA130N10T2 IXFA14N60P IXFA14N60P3 IXFA14N85XHV
配单专家

在采购IXDT30N120进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买IXDT30N120产品风险,建议您在购买IXDT30N120相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的IXDT30N120信息由会员自行提供,IXDT30N120内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号