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IXSH35N120A

配单专家企业名单
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  • 封装
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  • IXSH35N120A
    IXSH35N120A

    IXSH35N120A

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • IXYS/艾赛斯

  • TO-247

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • IXSH35N120A
    IXSH35N120A

    IXSH35N120A

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • IXYS/艾赛斯

  • TO-3P

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • IXSH35N120A
    IXSH35N120A

    IXSH35N120A

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 75800

  • IXYS

  • TO-3P

  • 2024+

  • -

  • 正宗原装现货

  • IXSH35N120A
    IXSH35N120A

    IXSH35N120A

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IXYS

  • TO-247

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号，原装正品现货！

  • IXSH35N120A
    IXSH35N120A

    IXSH35N120A

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-247

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • IXSH35N120A
    IXSH35N120A

    IXSH35N120A

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • IXYS

  • 2011

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共29条 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 650 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压
  • 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • TO-247
  • 封装
  • Tube
IXSH35N120A 技术参数
  • IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839S1 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXSK30N60BD1 IXSK30N60CD1 IXSK35N120AU1 IXSK35N120BD1 IXSK40N60BD1 IXSK40N60CD1 IXSK50N60AU1 IXSK50N60BD1 IXSK50N60BU1 IXSK80N60B IXSN35N100U1 IXSN35N120AU1 IXSN50N60BD2 IXSN50N60BD3 IXSN52N60AU1 IXSN55N120A IXSN55N120AU1 IXSN62N60U1
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