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IXXN100N60B3H1

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  • IXXN100N60B3H1
    IXXN100N60B3H1

    IXXN100N60B3H1

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • SOT-227

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • IXXN100N60B3H1
    IXXN100N60B3H1

    IXXN100N60B3H1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 400

  • IXYS

  • TUBE

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • IXXN100N60B3H1
    IXXN100N60B3H1

    IXXN100N60B3H1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 2855

  • IXYS

  • ROHS

  • 1223+

  • -

  • 原装正品，现货库存！400-800-03...

  • IXXN100N60B3H1
    IXXN100N60B3H1

    IXXN100N60B3H1

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 65493

  • IXYS/艾赛斯

  • SOT-227U

  • 24+

  • -

  • 原装正品 华强现货

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 600V 100A SOT-227B
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • XPT™, GenX3™
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 无
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
IXXN100N60B3H1 技术参数
  • IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839S1 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXXX110N65B4H1 IXXX160N65B4 IXXX160N65C4 IXXX200N60C3 IXXX200N65B4 IXXX300N60B3 IXXX300N60C3 IXYA50N65C3 IXYA8N90C3D1 IXYB82N120C3H1 IXYF30N450 IXYH100N65C3 IXYH10N170C IXYH10N170CV1 IXYH12N250C IXYH12N250CV1HV IXYH16N170C IXYH16N170CV1
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