1SS357(T3SONY,F)

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1SS357(T3SONY,F)
北京京华特科技有限公司
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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1SS357(T3SONY,F) 技术参数

1SS356TW11 功能描述:DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:200mW 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 标准包装:1 1SS355WTE-17 1SS355VMTE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS355-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1SS355TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F