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2N442

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  • 2N442
    2N442

    2N442

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 8000

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  • ALTERA.XILINX代理指定授权分...

  • 2N4424
    2N4424

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • 2N4423
    2N4423

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 2N4422
    2N4422

    2N4422

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

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  • 富士通

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  • 原装,公司部分现货,有单来谈QQ:161...

  • 2N4427
    2N4427

    2N4427

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 绝对公司原装现货

  • 2N4424
    2N4424

    2N4424

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2N4427
    2N4427

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2N4428
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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

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  • 原装正品,假一罚十

  • 2N4424
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 2N442
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 假一罚十,百分百原装正品

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

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  • SEMICONDUCTORS

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  • 2N4427
    2N4427

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 原装正品,优势供应

  • 2N4427
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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  • 2N4424
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 2N44216AZ
    2N44216AZ

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • 原装正品,现货库存

  • 2N4424
    2N4424

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

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    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

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  • CENTRAL SEMICONDUCTOR

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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 15A I(C) | TO-36
2N442 技术参数
  • 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4416A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V 漏源极电压(Vdss):35V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-72 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,000 2N4416 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4856JTX02 2N4856JTXL02 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859
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