DDU50PF225

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制造商
ITT
功能描述
DSUB 50 M CRIMP G F225 SS
制造商
ITT Interconnect Solutions
功能描述
DSUB 50 M CRIMP G F225 SS

DDU50PF225 技术参数

DDU50P 功能描述:DSUB 50 M CRIMP G ZINC 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 DDTD142TU-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:470 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 DDTD142TU-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:470 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTD142TC-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:470 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 DDTD142JU-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:470 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDU50SF0 DDU50SF225 DDU-50SF-F0 DDU50SFO DDU50ST DDU50STFO DDUE50P DDUE50S DDUE50SA197F0 DDUE50SF0 DDUF50P DDUF50S DDUF50SF0 DDUH-50P DDUH-50S DDUK50S DDUK50SF0 DDUR50P