DS1251W-150

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DS1251W-150+
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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DS1251W-150IND
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DS1251W-150 技术参数

DS1251W-120IND+ 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1251W-120IND 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 120NS 32DIP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时）数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 DS1251W-120+ 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1251W-120 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 120NS 32DIP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时）数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 DS1250YP-70IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1251Y-70+ DS1251YP-70 DS1251YP-70+ DS1251YP-70IND DS1251YP-70IND+ DS1254WB-150 DS1254WB2-150 DS1254WB-C02 DS1254YB-100 DS1258AB-100 DS1258AB-100# DS1258AB-70 DS1258AB-70# DS1258AB-70IND# DS1258W-100 DS1258W-100# DS1258W-100IND# DS1258W-150