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DS135AD

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    DS135AD

    DS135AD

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 256

  • ON Semiconductor

  • 标准封装

  • 23+

  • -
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DS135AD PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 RECITIFIER DIODE 1A 200V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
DS135AD 技术参数
  • DS1351-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 2.7A 54 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):54 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.510" 长 x 0.398" 宽(12.95mm x 10.10mm) 高度 - 安装(最大值):0.201"(5.10mm) 标准包装:1 DS1351-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 800mA 472 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):472 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.510" 长 x 0.398" 宽(12.95mm x 10.10mm) 高度 - 安装(最大值):0.201"(5.10mm) 标准包装:1 DS1351-1R0M 功能描述:1μH Shielded Inductor 5A 21 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:5A 电流 - 饱和值:5.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):21 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.510" 长 x 0.398" 宽(12.95mm x 10.10mm) 高度 - 安装(最大值):0.201"(5.10mm) 标准包装:1 DS1351-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 2A 101 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):101 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.510" 长 x 0.398" 宽(12.95mm x 10.10mm) 高度 - 安装(最大值):0.201"(5.10mm) 标准包装:1 DS1350YP-70IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1374C-3#T&R DS1374C-33# DS1374C-33#T&R DS1374U-18+ DS1374U-3+ DS1374U-3+T&R DS1374U-33 DS1374U-33+ DS1374U-33+T&R DS1375T+ DS1375T+T&R DS1384FP-12 DS1384FP-12+ DS1386-32-120 DS1386-32-120+ DS1386-8-120 DS1386-8-120+ DS1386P-32-120
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