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DS1985-F3+
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Maxim Integrated
标准封装
16+
-
原装正品，质量保障假一罚十

DS1985-F3+
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
MAXIM
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

DS1985-F3+
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
MAXIM
CAN
10+
-
假一罚十，百分百原装正品

DS1985-F3+
深圳市讯顺达科技有限公司
深圳市讯顺达科技有限公司
联系人：卓小姐/蔡小姐/庄小姐
电话：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座15KL
资质：营业执照
4200
Dallas
PDIP
23+
-
全新原装欢迎询价下单

DS1985-F3+
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
10000
MAXIM
CAN
2012+
-
只做原装正品。

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功能描述
iButton 16Kb Add-Only iButton
RoHS
否
存储类型
SRAM
存储容量
512 B
组织
工作电源电压
3 V to 5.25 V
接口类型
1-Wire
最大工作温度
+ 85 C
尺寸
17.35 mm x 5.89 mm
封装 / 箱体
F5 MicroCan
制造商
Maxim Integrated

DS1985-F3+ 技术参数

DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:730mA 电流 - 饱和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.08 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.4A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:97 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.01 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:207 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:3.6A 电流 - 饱和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1D7AQ3 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V DS1E-ML2-DC12V DS1E-ML2-DC24V DS1E-ML2-DC24V-R

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