EPC8010ENGR

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说明
操作

EPC8010ENGR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1100
EPC
托盘
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
托盘
零件状态
有效
FET 类型
GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
160 毫欧 @ 500mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.48nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
55pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
-
供应商器件封装
模具
标准包装
10

EPC8010ENGR 技术参数

EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:138 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.38nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8009 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.45nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:52pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC8008ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:325 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8007ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:39pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC9003C EPC9004 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024