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IRS2003STRPBF,IRS2003S

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IRS2003STRPBF,IRS2003S,IRS2003SPBF,
深圳市华芯盛世科技有限公司
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IRS2003STRPBF,IRS2003S 技术参数

IRS2003STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Half Brdg Drvr w/ Hi&Lw Side Outpt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2003SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 200V 3.3V LSTTL out RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2003PBF 功能描述:功率驱动器IC Half Brdg Drvr w/ Hi&Lw Side Outpt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2001STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2001SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI & LO SIDE DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2008STRPBF IRS2011PBF IRS2011SPBF IRS2011STRPBF IRS20124C IRS20124CD IRS20124SPBF IRS20124STRPBF IRS2052MTRPBF IRS2053MPBF IRS2053MTRPBF IRS20752LTRPBF IRS2092PBF IRS2092SPBF IRS2092STRPBF IRS2093MTRPBF IRS20954SPBF IRS20954STRPBF