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IRS2195AS

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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IRS2195AS 技术参数
  • IRS21956STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Dual Drvr IC w/ floating Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21956SPBF 功能描述:功率驱动器IC High Low Dual DRVR 600V 4.5V 300ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21953STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21953SPBF 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 380ns 0.5A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21952STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2308PBF IRS2308SPBF IRS2308STRPBF IRS2330DJPBF IRS2330DJTRPBF IRS2330DSPBF IRS2330DSTRPBF IRS2330JPBF IRS2330JTRPBF IRS2330SPBF IRS2330STRPBF IRS2332B IRS2332DJPBF IRS2332DJTRPBF IRS2332DSPBF IRS2332DSTRPBF IRS2332JPBF IRS2332JTRPBF
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