IXGX50N90B2D1

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价格
说明
操作

IXGX50N90B2D1
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
52388
IXYS/艾赛斯
PLUS247?
24+
-
原装正品华强现货

IXGX50N90B2D1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247,Max247
25+
-
国产品牌，替代进口

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您是不是要找： IXGX55N120A3D1 IXGX55N120A3H1 IXGX60N60B2D1 IXGX60N60C2D1 IXGX64N60B3D1 IXGX72N60A3H1 IXGX72N60B3H1 IXGX72N60C3H1 IXGX75N250

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制造商
IXYS
制造商全称
IXYS Corporation
功能描述
HiPerFAST IGBT with Fast Diode

IXGX50N90B2D1 技术参数

IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶体管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 电信系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 标准包装:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXGX82N120A3 IXGX82N120B3 IXGY2N120 IXH611P1 IXH611S1 IXH611S1T/R IXHH40N150HV IXHX40N150V1HV IXI848AS1 IXI848AS1T/R IXI848S1 IXI848S1T/R IXI858S1 IXI858S1T/R IXI859S1 IXI859S1T/R IXIDM1401_1505_O IXI-P041205