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深圳市华芯盛世科技有限公司
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M29W320ET70ZE6E/497-3609-ND 技术参数

M29W320ET70ZE6E 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W320ET70N6F 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W320ET70N6E 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W320EB70ZS6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64FBGA M29W320EB70ZS6E 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽）供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 M29W400BT70N6 M29W400BT90M1T M29W400BT90M1T TR M29W400BT90N1 M29W400DB45N6E M29W400DB45ZE6E M29W400DB55N1 M29W400DB55N3T M29W400DB55N6 M29W400DB55N6E M29W400DB55N6F TR M29W400DB55ZE6E M29W400DB55ZE6F TR M29W400DB70N1 M29W400DB70N6 M29W400DB70N6E M29W400DB70N6F TR M29W400DB70N6T