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MLZ2012A2R2PT

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  • MLZ2012A2R2PT000
    MLZ2012A2R2PT000

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6450

  • TDK

  • SMD

  • 1316+

  • -
  • 原装正品,现货库存!400-800-03...

  • MLZ2012A2R2PT000
    MLZ2012A2R2PT000

    MLZ2012A2R2PT000

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 489900

  • TDK/东电化

  • SMD

  • 2015+ROHS

  • -
  • 一级质量保证长期稳定提供货优价美

  • MLZ2012A2R2PT
    MLZ2012A2R2PT

    MLZ2012A2R2PT

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:13428937514

    地址:门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 3960

  • TDK

  • 2007

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
MLZ2012A2R2PT PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
MLZ2012A2R2PT 技术参数
  • MLZ2012A2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 150 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:650mA 电流 - 饱和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):150 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.041"(1.05mm) 标准包装:1 MLZ2012A1R5WTD25 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:750mA 电流 - 饱和值:250mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):169 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.041"(1.05mm) 标准包装:1 MLZ2012A1R5WT000 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:750mA 电流 - 饱和值:250mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):169 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:140MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.041"(1.05mm) 标准包装:1 MLZ2012A1R0WTD25 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 900mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):130 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.041"(1.05mm) 标准包装:1 MLZ2012A1R0WT000 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 900mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):130 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:160MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.041"(1.05mm) 标准包装:1 MLZ2012DR47DTD25 MLZ2012DR47MT000 MLZ2012E100M MLZ2012E4R7M MLZ2012M100HT000 MLZ2012M100HTD25 MLZ2012M100WT000 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000
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