MMBT2222LT3

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

MMBT2222LT3G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ON/安森美
SOT23
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

MMBT2222LT3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MOT
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

MMBT2222LT3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON SEMICONDUCTOR
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

MMBT2222LT3
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
183300
ON/安森美
NA
-
可订货，请确认

MMBT2222LT3G
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
9800
ON/安森美
SOT-23
0610
-
真芯合作锐意进取

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功能描述
两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MMBT2222LT3 技术参数

MMBT2222A,215 功能描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:MMBT2222A 标准包装:1 MMBT2222A 功能描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:270MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBD7000-7 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 75V 300mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBD4448W-7 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HW-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBT2484 MMBT2484LT1 MMBT2484LT1G MMBT2484LT3G MMBT2907 MMBT2907_D87Z MMBT2907A MMBT2907A RFG MMBT2907A_D87Z MMBT2907A-7 MMBT2907A-7-F MMBT2907A-D87Z MMBT2907A-G MMBT2907AK MMBT2907ALT1 MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1HTSA1 MMBT2907ALT3G