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MRF89XAM9AT-I/TM

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MRF89XAM9AT-I/TM
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
Microchip
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

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MRF89XAM9AT-I/TM 技术参数

MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:17V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:接线柱安装封装/外壳:244A-01 供应商器件封装:244A-01、STYLE 1 标准包装:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07、STYLE 1 标准包装:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:30 MRF8P18265HSR5 MRF8P18265HSR6 MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3 MRF8P20100HSR5 MRF8P20140WGHSR3 MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHR5 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WHSR5 MRF8P20160HR3 MRF8P20160HR5 MRF8P20160HSR3 MRF8P20160HSR5 MRF8P20161HSR3 MRF8P20165WHR3 MRF8P20165WHR5 MRF8P20165WHSR3