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深圳市一线半导体有限公司
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MT29F64G08CEAAA 技术参数

MT29F64G08CBCBBH1-10:B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS S - Bulk MT29F64G08CBCABH1-12Z:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS S - Bulk MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE RE - Bulk MT29F64G08CBCABH1-12:A 功能描述:IC FLASH NAND 64GB 100VBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT29F64G08CBCABH1-10Z:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS S - Bulk MT29F64G08CFACAWP:C MT29F64G08CFACAWP:C TR MT29F64G08CFACAWP-Z:C MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR MT29F64G08CFACBWP-12:C MT29F64G08CFACBWP-12:C TR MT29F64G08CFACBWP-12Z:C MT29F64G08CFACBWP-12Z:C TR MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR MT29F64G08EBAAAWP-Z:A MT29F64G08EBAAAWP-Z:A TR MT29F64G08TAAWP:A TR MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR MT29F6T08ETHBBM5-3R:B MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR