PBLS6003D115

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PBLS6003D115
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PH
标准封装
07+
-
全新原装100%正品保证质量

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北京元坤伟业科技有限公司
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PBLS6003D115 技术参数

PBLS6003D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，60V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:PBLS6003 标准包装:1 PBLS6002D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，60V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 500mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:PBLS6002 标准包装:1 PBLS6001D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，60V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 500mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:PBLS6001 标准包装:1 PBLS4005Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS4005 标准包装:1 PBLS4005V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PBM0001 BK008 PBM0001 GR002 PBM0001 RD005 PBM0001 RD008 PBM0001 YL002 PBM0001 YL005 PBM0001 YL008 PBM0002 BK003 PBM0002 BK005 PBM0002 BK008 PBM0002 GR002 PBM0002 RD003 PBM0002 RD005 PBM0002 RD008 PBM0002 YL002 PBM0002 YL005 PBM0002 YL008 PBM0003 BK005