PMCU

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMCU-2033
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
269
N/A
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

PMCU-0100
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

PMCU-0100
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

PMCU-0100
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

PMCU-0330
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
9222
N/A
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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您是不是要找： PMCXB1000UEZ PMCXB900UE PMCXB900UELZ PMCXB900UEZ PMD PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN

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PMCU 技术参数

PMCPB5530X,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMCM650VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-WLCSP（1.48x.98）封装/外壳:6-XFBGA，WLCSP 标准包装:1 PMCM650CUNEZ 功能描述:PMCM650CUNE NAX000 NONE 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:- 功率 - 最大值:556mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFBGA，WLCSP 供应商器件封装:6-WLCSP（1.48x0.98）标准包装:1 PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:29.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-WLCSP（1.48x.98）封装/外壳:6-XFBGA，WLCSP 标准包装:1 PMCM6501VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-WLCSP（1.48x.98）封装/外壳:6-XFBGA，WLCSP 标准包装:1 PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F PMD1204PQB1-A.(2).GN PMD1204PQB1-A.(2).U.F.GN PMD1204PQB1-A.(2).U.GN PMD1204PQB2-A.(2).GN PMD1204PQBX-A (2) F PMD1204PQBX-A.(2).F.GN PMD1204PQBX-A.(2).GN