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ZXGD3103EV1

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    ZXGD3103EV1

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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ZXGD3103EV1 技术参数
  • ZXGD3102T8TA 功能描述:功率驱动器IC BIPOLAR TRANSISTOR GATE DRIVER NPN/PNP SMB GREEN 1K RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ZXGD3101T8TA 功能描述:功率驱动器IC SYNCHRNS RCTFR CTRLR FOR FLYBCK CNVRTRS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ZXGD3101N8TC 功能描述:功率驱动器IC SYNC REC Controller Vcc 15V 25mA 490mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ZXGD3006E6TA 功能描述:变换器 Transistor Gate RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube ZXGD3005E6TA 功能描述:MOSFET 10A GATE DRIVER 25V VCC 25V VIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXGD3112N7TC ZXGD3113W6-7 ZX-GIF11 ZX-GIF11A ZX-GIF41 ZX-GIF41A ZX-GSW11 ZX-GT2840S11 ZX-GT2840S41 ZX-GT28S11 ZX-GT28S41 ZX-GTC11 ZX-GTC41 ZXHF5000JB24TC ZXLB1600X10TA ZXLB1600X10TC ZX-LD100 ZX-LD100L
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