ZXMN6A07F-7-88_代理商_批发/采购【买卖IC网】ZXMN6A07F-7-88

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ZXMN6A07F-7-88
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
38200
DIODES
SOT-23
2022+
-
十年芯途，只做原装，实单可以支持。075...

ZXMN6A07F-7-88
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
DIODES
SOT23-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ZXMN6A07F-7-88
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
9580
DIODES
SOT-23
1224+
-
原装现货/特价

ZXMN6A07F-7-88
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30000
DIODES
SOT23
1347
-
全新原装现货

ZXMN6A07F-7-88
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3493
DIODES
SOT23
2229+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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ZXMN6A07F-7-88 技术参数

ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:472pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 11A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23-6 标准包装:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 ZXMN6A09DN8TC ZXMN6A09GTA ZXMN6A09KQTC ZXMN6A09KTC ZXMN6A10N8TA ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTC ZXMN6A11ZTA ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25G ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A25KTC ZXMN6A25N8TA ZXMN7A11GTA ZXMN7A11KTC

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