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TPD1S514

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TPD1S514 技术参数

TPD1S414YZR 功能描述:IC USB CHARGER OVP 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效开关类型:USB 开关输出数:1 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端输出类型:N 通道接口:开/关电压 - 负载:30V（最大）电压 - 电源（Vcc/Vdd）:- 电流 - 输出（最大值）:- 导通电阻（典型值）:39 毫欧输入类型:非反相特性:压摆率受控型故障保护:超温工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:12-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:12-DSBGA 标准包装:1 TPD1S414EVM 功能描述:EVAL MODULE FOR TPD1S414 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:在售主要用途:电路保护，静电释放（ESD）嵌入式:- 使用的 IC/零件:TPD1S414 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板标准包装:1 TPD1E6B06DPLR 功能描述:TVS DIODE 5VWM 14VC 2X2SON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:50W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:2-X2SON（0.6x0.3）标准包装:1 TPD1E1B04EVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 TPD1E1B04DPYT 功能描述:TVS DIODE 8.5VC 6.3A IPP 2X1SON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.6V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6.4V（标准）电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.3A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:50W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XDFN 供应商器件封装:2-X1SON（1x.60）标准包装:1 TPD2E001DRLRG4 TPD2E001DRSR TPD2E001DRST-NM TPD2E001DRYR TPD2E001DRYRG4 TPD2E001DZDR TPD2E001IDRLRQ1 TPD2E007DCKR TPD2E007YFMRG4 TPD2E007YFMTG4 TPD2E009DBZR TPD2E009DRTR TPD2E1B06DRLEVM TPD2E1B06DRLR TPD2E2U06DRLR TPD2E2U06-Q1EVM TPD2E2U06QDBZRQ1 TPD2E2U06QDCKRQ1