配单专家企业名单

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说明
操作

MT46V64M8BN-6ITF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MICRON
60-FBGA
0923+
-
全新原装100%正品保证质量

MT46V64M8BN-6IT:F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
MICRON
60-FBGA
2008
-
假一罚十，百分百原装正品

MT46V64M8BN-6IT:F
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
6221
micron
BGA
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

MT46V64M8BN-6IT:F
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
210
1112+
-
原装现货/特价

MT46V64M8BN-6IT:F
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
Micron
FBGA
18+
-
原装正品，欢迎订购

MT46V64M8BN-6IT:F
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
Micron
FBGA
18+
-
原装正品，欢迎订购

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MT46V64M8BN-6IT 技术参数

MT46V64M8BN-6:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V64M8BN-6:F 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V64M8BN-6:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V64M8BN-6:D 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V64M8BN-6 L:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V64M8CV-5B:J TR MT46V64M8CY-5B AIT:J MT46V64M8CY-5B AIT:J TR MT46V64M8CY-5B IT:J MT46V64M8CY-5B IT:J TR MT46V64M8CY-5B L:J MT46V64M8CY-5B L:J TR MT46V64M8CY-5B:J MT46V64M8CY-5B:J TR MT46V64M8FN-5B:D TR MT46V64M8FN-6 IT:F MT46V64M8FN-6 IT:F TR MT46V64M8FN-6:D TR MT46V64M8FN-6:F TR MT46V64M8FN-75 IT:D MT46V64M8FN-75 IT:D TR MT46V64M8FN-75 L:D MT46V64M8FN-75 L:D TR