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MCHC11F1CFNE3

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功能描述
8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE
RoHS
否
制造商
Silicon Labs
核心
8051
处理器系列
C8051F39x
数据总线宽度
8 bit
最大时钟频率
50 MHz
程序存储器大小
16 KB
数据 RAM 大小
1 KB
片上 ADC
Yes
工作电源电压
1.8 V to 3.6 V
工作温度范围
- 40 C to + 105 C
封装 / 箱体
QFN-20
安装风格
SMD/SMT

MCHC11F1CFNE3 技术参数

MCHC11F1CFNE2R 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT MCHC11F1CFNE2 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT MCH6935-TL-E 功能描述:TRANS PNP/MOSFET N-CH MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP，N 通道应用:通用电压 - 额定:30V PNP，30V N 通道额定电流:700mA PNP，150mA N 通道安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6626-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A，1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 800mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:105pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 3A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE MCHC705KJ1CPE MCHC711KS2CFNE3 MCHC711KS2CFNE4 MCHC711KS2MFNE4 MCHC711KS2VFNE3 MCHC908AB32CFUR2 MCHC908GR8ACFAE MCHC908GR8AMFAE MCHC908GR8AMFAER MCHC908GR8AVFAE MCHC908GR8CFAE MCHC908GR8CFAER MCHC908GR8MFAE MCHC908GR8VFAE MCHC908JK1CPE