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2N3791中文资料

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    Microsemi Corporation
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    Central Semiconductor Corp
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  • Silicon PNP Power Transistors
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  • Silicon PNP Power Transistors
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    Savantic, Inc.
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  • EPITAXIAL-BASE NPN - PNP
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    Comset Semiconductor
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  • Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
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  • Silicon PNP Power Transistors
  • NJSEMI
    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
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  • EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS
  • COMSET
    Comset Semiconductor
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  • 2N3791SMD
  • Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed
  • SEME-LAB
    Seme LAB
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2N3791参数资料

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  • 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GP Power;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;配置:;晶体管极性:PNP;集电极—基极电压 VCBO:;集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V;发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V;集电极—射极饱和电压:;最大直流电集电极电流:;增益带宽产品fT:;直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A;最大工作温度:;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2;

2N3791供应商

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  • 林先生/林小姐
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