2N5109

2N5109中文资料

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• 2N5109
• Chip Type 2C5109 Geometry 1007 Polarity NPN
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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• 2N5109
• Type 2N5109 Geometry 1007 Polarity NPN
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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• 2N5109
• RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
• MICROSEMI
  Microsemi Corporation
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• Small Signal Transistors
• CENTRAL
  Central Semiconductor Corp
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• silicon transistors UHF/VHF power transistors
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  List of Unclassifed Manufacturers
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• 2N5109
• RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
• ADPOW
  Advanced Power Technology
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• 2N5109
• SILICON NPN TRANSISTOR
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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• 2N5109
• NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
• ASI
  Advanced Semiconductor
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• 2N5109
• RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
• MICROSEMI
  Microsemi Corporation
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• 2N5109
• SILICON NPN RF TRANSISTOR
• CENTRAL
  Central Semiconductor Corp
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• 2N5109
• COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE
• NJSEMI
  New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
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• 2N5109_02
• SILICON NPN TRANSISTOR
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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• 2N5109UB
• Chip Type 2C5109 Geometry 1007 Polarity NPN
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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• 2N5109UB
• SILICON NPN TRANSISTOR
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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• 2N5109UB_02
• SILICON NPN TRANSISTOR
• SEMICOA
  Semicoa Semiconductor
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2N5109参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• 2N5109
• 功能描述：两极晶体管 - BJT NPN Wide Bd AM；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

2N5109供应商

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• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
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• 2N5109
• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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• 2N5109
• 北京天阳诚业科贸有限公司
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• Central Semiconductor Corp
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 王金英
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• 2N5109
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  19129491934(手机优先微信同号)
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• 2N5109
• 科创特电子（香港）有限公司
• 柯
  0755-83014603
• MOT
• TO-39
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• 625

• 2N5109
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• INTERSIL
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• 67

• 2N5109
• 深圳市佳鑫特电子有限公司
• 陈
  13410505652
• MOT盒装
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