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2N5686中文资料

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  • High−Current Complementary Silicon Power Transistors
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    Microsemi Corporation
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  • High-Current Complementary Silicon Power Transistors
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    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
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  • SI NPN POWER BJT
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    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
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  • High-Current Complementary Silicon Power Transistors
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2N5686参数资料

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  • 2N5686
  • 功能描述:两极晶体管 - BJT 50A 80V 300W NPN;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;配置:;晶体管极性:PNP;集电极—基极电压 VCBO:;集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V;发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V;集电极—射极饱和电压:;最大直流电集电极电流:;增益带宽产品fT:;直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A;最大工作温度:;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2;

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  • 标准国际(香港)有限公司
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
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  • ON Semiconductor
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • ON Semiconductor
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