2N5883G

2N5883G中文资料

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• 2N5883G
• Complementary Silicon High−Power Transistors
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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2N5883G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• 2N5883G
• 功能描述：两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W PNP；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

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