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2N6052中文资料

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    Boca Semiconductor Corporation
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  • PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
  • MICROSEMI
    Microsemi Corporation
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  • POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
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    Comset Semiconductor
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  • DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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    ON Semiconductor
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2N6052参数资料

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  • 功能描述:达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington;RoHS:否;制造商:Texas Instruments;配置:Octal;晶体管极性:NPN;集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V;发射极 - 基极电压 VEBO:;集电极—基极电压 VCBO:;最大直流电集电极电流:0.5 A;最大集电极截止电流:;功率耗散:;最大工作温度:+ 150 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:SOIC-18;封装:Reel;

2N6052供应商

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