2N6491

2N6491中文资料

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• 2N6491
• POWER TRANSISTORS(15A,75W)
• MOSPEC
  Mospec Semiconductor
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• 2N6491
• COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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• 2N6491
• NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
• BOCA
  Boca Semiconductor Corporation
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• 2N6491
• NPN SILICON TRANSISTOR
• CENTRAL
  Central Semiconductor Corp
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• 2N6491
• Complementary Silicon Plastic Power Transistors
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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• 2N6491
• Power Transistors
• ETC
  List of Unclassifed Manufacturers
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• 2N6491
• Silicon PNP Power Transistors
• SAVANTIC
  Savantic, Inc.
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• 2N6491
• Silicon PNP Power Transistors
• JMNIC
  Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
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• 2N6491
• Silicon PNP Power Transistors
• JMNIC
  Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
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• 2N6491
• Silicon PNP Power Transistors
• ISC
  Inchange Semiconductor Company Limited
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• 3 Pages
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• 2N6491
• SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS
• NJSEMI
  New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
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• 1 Pages
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• 2N6491
• Complementary Silicon Plastic Power Transistors 60a??80 VOLTS, 75 WATTS
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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• 2N6491G
• 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60a??80 VOLTS, 75 WATTS
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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• 2N6491G
• Complementary Silicon Plastic Power Transistors 60a??80 VOLTS, 75 WATTS
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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2N6491参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• 2N6491
• 功能描述：两极晶体管 - BJT PNP Med Power；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

2N6491供应商

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  83617149
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• 科创特电子（香港）有限公司
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  0755-83014603
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• 02+
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• 深圳市思诺康科技有限公司
• 张小姐/Vivianvi
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• ONS
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• 13/14+
• 290

• 2N6491G
• 标准国际(香港)有限公司
• 朱小姐
  83617149
• ON Semiconductor
• 2014+
• 10000

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• 北京天阳诚业科贸有限公司
• 洪先生
  17862669251
• ON Semiconductor
• 149895

• 2N6491G
• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
• 荣泽信－晏S
  18028731859
• ON
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• 10000