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AGR26180EF中文资料

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  • AGR26180EF
  • 180 W, 2.535 GHz-2.655 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
  • TRIQUINT
    TriQuint Semiconductor
  • TRIQUINT
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AGR26180EF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • AGR26180EF
  • 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor;RoHS:否;制造商:Freescale Semiconductor;配置:Single;晶体管极性:;频率:1800 MHz to 2000 MHz;增益:27 dB;输出功率:100 W;汲极/源极击穿电压:;漏极连续电流:;闸/源击穿电压:;最大工作温度:;封装 / 箱体:NI-780-4;封装:Tray;

AGR26180EF供应商

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  • 深圳市莱克讯科技有限公司
  • 刘小姐(进口原装 品质保证)
    0755-83263906
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  • 上海恒慧电子科技有限公司
  • 邵经理
    021-55220298
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  • 深圳市隆盛兄弟实业有限公司
  • 张旭
    0755-82736910
  • TRIQUINT
  • 07年
  • 07年
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