DZT5551-13

DZT5551-13中文资料

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• DZT5551-13
• NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
• DIODES
  Diodes Incorporated
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DZT5551-13参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• DZT5551-13
• 功能描述：两极晶体管 - BJT 1000mW 160Vceo；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

DZT5551-13供应商

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• 张育豪 13360528695
  0755-23607487
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  0755-83014603
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• DZT5551-13
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  13428937514
• DI
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  0755-82208752
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• 深圳市华诺星科技有限公司
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  18998919871
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• DZT5551-13
• 深圳市和诺泰科技有限公司
• 曾先生/雷小姐/何小姐
  0755-82810280
• DIODES
• 14+
• 3000

• DZT5551-13
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 祁志明
  16605347030
• Diodes Inc.
• 原厂封装
• 12+13+
• 4500

• DZT5551-13
• 深圳市汇思成科技有限公司
• 孙小姐
  0755-23619322
• Diodes
• SOT-223
• 15+
• 20000